US 7183617 B2, 27.02.2007. RU 2224313 C2, 20.02.2003. RU 2089973 C1, 10.09.1997. US 5373275 A, 13.12.1994.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Марийский государственный технический университет (RU)
Изобретатели:
Игумнов Владимир Николаевич (RU) Большаков Александр Павлович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Марийский государственный технический университет (RU)
Реферат
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для экранирования интегральных схем и других магниточувствительных устройств. Техническим результатом изобретения является повышение качества магнитного экрана, снижение шумов, остаточных магнитных полей. Сущность изобретения: корпус-экран магнитного поля для микросхемы содержит экранирующее пленочное покрытие, нанесенное на поверхность крышки и основания корпуса, которое выполнено из высокотемпературного сверхпроводникового материала, содержит окна в местах выхода выводов корпуса, а контакт между основанием и крышкой корпуса является сверхпроводящим с характеристиками сплошного ВТСП покрытия. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента