Bi-Sr-Ca-Cu-O intrinsic Josephson junctions fabricated by inhibitory ion implantation. K. Nakajima, et al. IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, VOL.9, NO.2, JUNE 1999. p.4515-4518. SU 1819358 A3, 30.05.1993. US 6188919 B1, 13.02.2001. US 4490901 A, 01.01.1985. WO 9917382 A1, 08.04.1999. KR 20030039562 A, 22.05.2003.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Марийский государственный технический университет (RU)
Изобретатели:
Игумнов Владимир Николаевич (RU) Большаков Александр Павлович (RU) Филимонов Виталий Евгеньевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Марийский государственный технический университет (RU)
Реферат
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении ВТСП-структур. Изобретение позволяет повысить точность и воспроизводимость переходов Джозефсона. Сущность изобретения: в способе изготовления перехода Джозефсона, включающем ионное легирование перехода примесью, подавляющей сверхпроводимость, формирование окон для легирования выполняют с помощью "протаскивания иглы" атомно-силового микроскопа, при этом время имплантации выбирается с учетом свойств имплантанта, сверхпроводника и параметров обработки по формуле
Поиск патентов
Получить полное описание патента