На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СОСТАВНОЙ МАГНИТНЫЙ ВТСП ЭКРАН |  |
Номер публикации патента: 2253169 |  |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L039/08 | Аналоги изобретения: | ЕР 0365171 А1, 25.04.1990. US 5373275 А, 13.12.1994. JP 6219738 А, 09.08.1994. ГЕРШЕНЗОН М.Е., ТАРАСОВ М.А. ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ // ИТОГИ НАУКИ И ТЕХНИКИ, СЕРИЯ ЭЛЕКТРОНИКА. - А.: ВИНИТИ, Т.26, 1990, с.38-75. |
Имя заявителя: | Марийский государственный технический университет (RU) | Изобретатели: | Игумнов В.Н. (RU) Буев А.Р. (RU) Иванов В.В. (RU) Филимонов В.Е. (RU) | Патентообладатели: | Марийский государственный технический университет (RU) |
Реферат |  |
Использование: в области криоэлектроники для экранирования магнитных полей. Технический результат изобретения - повышение качества магнитных экранов путем исключения сквозных, поперечных оси зазоров между сверхпроводниковыми шайбами и исключения дефектных шайб путем отбора их по величине критического тока.
|