На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ КВАНТОВЫЙ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ДАТЧИК И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2133525

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  97117338		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: при разработке высокочувствительных сверхпроводящих датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля. Сущность изобретения: в сверхпроводящем квантовом интерференционном датчике, содержащем электроды и мостики из сверхпроводящего материала, электроды и мостики выполнены из монокристаллической эпитаксиальной сверхпроводящей пленки YВаСuО толщиной 10 - 25 нм. Электроды и мостики выполнены на изолирующей монокристаллической подложке из SrTiO₃, LaAlO₃, Al₂O₃. Для обеспечения лучшего контакта при включении датчика в схему и сохранения высокотемпературных сверхпроводящих свойств электроды выполнены на подслое из золота или платины. В способе изготовления сверхпроводящего интерференционного датчика, основанном на нанесении на изолирующую подложку сверхпроводящей пленки с последующим формированием из нее мостиков и электродов, на монокристаллическую подложку при температуре 820 - 840^oС наносят сверхтонкую пленку YBaСuО толщиной 10 - 25 нм, например, методом лазерной абляции. Техническим результатом изобретения является создание сверхпроводящего квантового интерференционного датчика, обеспечивающего понижение шумов, повышение устойчивости к термоциклированию, а также повышение вопроизводимости характеристик датчика в процессе его эксплуатации. 2 с. и 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Вернуться к списку