|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПЕРЕХОДА ДЖОЗЕФСОНА |  |
Номер публикации патента: 2105390 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L039/24 | | Аналоги изобретения: | 1. US, патент, 5366953, кл.H 01 L 39/22, 1994. 2. Сверхпроводимость: физика, химия, техника. - 1993, т.6, N 8, с.1730 - 1746. |
| Имя заявителя: | Балбашов Анатолий Михайлович | | Изобретатели: | Балбашов Анатолий Михайлович
Венгрус Игорь Иванович
Снигирев Олег Васильевич
Ковьев Эрнст Константинович
Куприянов Михаил Юрьевич
Поляков Сергей Николаевич
Парсегов Игорь Юрьевич | | Патентообладатели: | Балбашов Анатолий Михайлович
Венгрус Игорь Иванович
Снигирев Олег Васильевич
Ковьев Эрнст Константинович
Куприянов Михаил Юрьевич
Поляков Сергей Николаевич
Парсегов Игорь Ю |
Реферат | |
Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении электронных приборов и устройств, работа которых основана на сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 K. Сущность: способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода Джозефсона заключается в том, что биокристалл выращивают из расплава двойной затравки, состоящей из двух монокристаллических блоков, при этом их оси [001] направляют параллельно, а оси [100] и [010] ориентируют симметрично относительно друг друга на угол наклона 36,86o или 28,07o или 22,62o, после чего монокристаллические блоки прижимают друг к другу отполированными поверхностями, затем двойную затравку, установленную в держателе с возможностью его вращения, помещают в камеру с атмосферой инертного газа или вакуумную камеру при температуре плавления кристаллизуемого материала, вводят двойную затравку в соприкосновение с расплавом, осуществляя одновременно вращение и поступательное перемещение двойной затравки и расплава со скоростью 5-6 мм/ч, производя последовательное наращивание кристалла на двойную затравку, из которого после его охлаждения вырезают бикристаллическую подложку, ориентированную по плоскости [001]. Бикристалл выращивают из титаната стронция, а бикристаллическую подложку вырезают из выращенного бикристалла, так, что плоскости ее поверхности параллельны оси роста бикристалла или перпендикулярны оси роста бикристалла, после чего последовательно осуществляют шлифование, химико-механическим полированием подложки, напыление на подложку высокотемпературной сверхпроводящей пленки, контактных площадок, затем осуществляют фотолитографию высокотемпературной сверхпроводящей пленки и ее травление. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента