|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК |  |
Номер публикации патента: 2080692 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L039/12 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4865709, кл. С 23 С14/34. 2. Лабунов В.А. , Борисеко В. Е. Воеводов Ю. Э. и др. Получение свойства, применение тонких пленок сверхпроводников. Зарубежная электронная техника, 1989, N 3, с. 9.- М.: ЦНИИ "Электроника". 3. Изменение состава пленки YBа<SB>2</SB> Сu<SB>3</SB>О<SB>7</SB> в зависимости от положения подложки . Jараnеsе jоurnal of Applied Рhуsics, vоl. 29, N 1 , Jаnuar 1990 , р. 79 - 80. |
| Имя заявителя: | Воронежский государственный университет | | Изобретатели: | Кукуев В.И.
Попов Г.П.
Тутов Е.А. | | Патентообладатели: | Воронежский государственный университет |
Реферат | |
Использование: изготовление приборов микроэлектроники, в частности СВЧ-приборов. Сущность изобретения: полученные магнетронным распылением нестехиометрической мишени YBa6Cu11O2 сверхпроводящей пленки YBa2Cu3O2 на подложке, при котором состав газовой среды из смеси аргона и кислорода выбирают в соотношении 3:2. Расстояние между оппозитно установленными мишенью и подложкой устанавливают в пределах 20-30 мм. Положительный эффект: полученные сверхпроводящие пленки обладают высокой стехиометрией своего состава, что позволяет обеспечить критическую точку перехода, равную 91K. Наивысшая производительность процесса образования пленки составляет 3,2·10-4гсм-2ч-1. 4 ил, 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента