|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| КРИОТРОН ВОЛКОВА НА ОСНОВЕ АНИЗОТРОПНОЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ |  |
Номер публикации патента: 2058623 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L039/16 | | Аналоги изобретения: | Волков А.Ю. Письма в ЖТФ, 1990, т.16, вып.4, с.11-14. Волков А.Ю. СФХТ, 1990, т.3, N 11, с.2646. |
| Имя заявителя: | Обнинский институт атомной энергетики | | Изобретатели: | Волков А.Ю.
Гордеев С.Н.
Буш А.А. | | Патентообладатели: | Волков Андрей Юрьевич |
Реферат | |
Использование: в размыкателях многократного действия с малым временем срабатывания, для коммутации и создания логических схем в сверхпроводниковой микроэлектронике. Сущность изобретения: в криотроне на основе анизотропного монокристалла высокотемпературного сверхпроводника, содержащего контакты цепи управления, замыкающие ток через направление с большим значением критических параметров, и контакты вентильной цепи, замыкающие управляемый ток через направление с меньшим значением критических параметров, предлагается использовать вместо монокристалла монокристаллическую пленку, в которой направление с меньшим значением критических параметров параллельно плоскости подложки. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента