RU 2151450 C1, 20.06.2000. RU 2293399 C1, 10.02.2007. CN 101409324 A, 15.04.2009. JP 2006032620 A, 02.02.2006. JP 2001028462 A, 30.01.2001. US 5441576 A, 15.08.1995.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (RU), Общество с ограниченной ответственностью Научно-Производственное объединение "Кристалл" (RU)
Изобретатели:
Башков Валерий Михайлович (RU) Беляева Анна Олеговна (RU) Горбатовская Татьяна Александровна (RU) Мешков Сергей Анатольевич (RU) Нарайкин Олег Степанович (RU) Осипков Алексей Сергеевич (RU) Рябинин Денис Геннадьевич (RU) Талакин Константин Николаевич (RU) Федоренко Иван Александрович (RU) Шашурин Василий Дмитриевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (RU) Общество с ограниченной ответственностью Научно-Производственное объединение "Кристалл" (RU)
Реферат
Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению. Сущность: на поверхности ветвей термоэлектрического модуля, сопрягаемые с контактными пластинами, наносят барьерное покрытие, препятствующее диффузии материалов припоя и контактных пластин в материал полупроводника. Покрытие наносят методом вакуумного напыления из сепарированной электродуговой плазмы после плазмохимического травления в едином технологическом цикле без нарушения вакуума в технологической камере. Также предусмотрено нанесение адгезионного покрытия поверх барьерного в едином технологическом цикле, что необходимо для улучшения паяемости полупроводниковых термоэлектрических ветвей. Технический результат: увеличение надежности и срока службы термоэлектрического модуля. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента