US 2004200519 A1, 14.10.2004. SU 1829809 A1, 10.02.1996. US 2005284512 A1, 29.12.2005. US 3652421 A, 28.03.1972. WO 2005114755 A2, 01.12.2005. CHISHKO V.F. et al. Photoelectric Properties of Pb1-x-yGeySnxTe:In Epitaxial Films. Proceedings of the SPIE. 1997, vol.3182, p.115-121. AKIMOV B.A. et al. Thermally inducedcurrents and instabilities of photoresponse in the PbTe(In) based films. Proceedings of the SPIE. 1990, vol.3890, p.208-211.
Имя заявителя:
БАСФ СЕ (DE)
Изобретатели:
ХААСС Франк (DE)
Патентообладатели:
БАСФ СЕ (DE)
Приоритетные данные:
16.03.2006 EP 06111281.9
Реферат
Изобретение касается полупроводниковых материалов, содержащих свинец и теллур, а также, по меньшей мере, одну или две другие примеси, а также содержащих эти материалы термоэлектрических генераторов и устройств Пельтье. Полупроводниковый материал с проводимостью р- или n-типа на основе легированных теллуридов свинца имеет соединение общей формулы (I)