RU 2120684 C1, 20.10.1998. RU 2181516 C2, 20.04.2002. US 6114052 A, 05.09.2000. DE 10230080 A1, 22.01.2004.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение "Кристалл" (RU)
Изобретатели:
Белов Юрий Максимович (RU) Пономарев Владимир Федорович (RU) Телышев Алексей Викторович (RU) Рябинин Денис Геннадиевич (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение "Кристалл" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области термоэлектрического приборостроения. Сущность: кристаллические пластины из термоэлектрического слоистого материала ромбоэдрической сингонии (твердые растворы на основе АVBVI) получают методом направленной кристаллизации в поле вертикального градиента температур. При этом используют матрицу вертикально ориентированных графитовых пластин. Каждая пластина имеет входной канал для ввода расплавленного сырьевого материала и полость, сопряженную в нижней части с зигзагообразным каналом. Полость и зигзагообразный канал имеют плоскую конфигурацию и лежат в одной плоскости. Направленную кристаллизацию ведут со скоростью не более 0,5 мм/мин путем снижения температуры нагревателя. Полученные кристаллические пластины характеризуются наличием множества кристаллографических плоскостей спайности, имеющих практически одно кристаллографическое направление с образованием текстуры с углом разориентации 6° и ориентированных практически параллельно базовым плоскостям, имеющим ориентацию {0001}. Технический результат: уменьшение углов разориентации плоскостей спайности. 4 н. и 6 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента