|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2151450 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L035/08 H01L035/34 | | Аналоги изобретения: | SU 323823 A, 15.02.1972. SU 199946 A, 14.09.1967. SU 361748 A, 15.08.1978. US 5429680 A, 04.07.1995. US 3017693 A, 23.01.1962. |
| Имя заявителя: | МАЦУШИТА ЭЛЕКТРИК УОРК, Лтд. (JP) | | Изобретатели: | САТО Такехико (JP)
КАМАДА Казуо (JP) | | Патентообладатели: | МАЦУШИТА ЭЛЕКТРИК УОРК, Лтд. (JP) | | Номер конвенционной заявки: | 8-342878 | | Страна приоритета: | JP |
Реферат | |
Сущность изобретения: термоэлектрический элемент обладает повышенной прочностью сцепления между полупроводниковой матрицей из Bi-Sb-Te или Bi-Te-Se и слоем диффузионного барьера, нанесенным для предотвращения диффузии материала припоя в полупроводниковую матрицу. Между полупроводниковой матрицей и слоем диффузионного барьера из Мо, W, Nb и Ni предусмотрен слой из сплава олова, который позволяет повысить прочность сцепления. Этот слой из сплава олова образуется на границе раздела с полупроводниковой матрицей путем взаимодиффузии олова и по крайней мере одного элемента полупроводника. Технология изготовления термоэлектрического элемента включает следующие этапы: а) подготовка термоэлектрического полупроводника из Bi-Sb-Te или Bi-Te-Se с противолежащими гранями; b) нанесение слоя олова на каждую из противолежащих граней термоэлектрического полупроводника; с) взаимодиффузия олова и по крайней мере одного элемента термоэлектрического полупроводника для образования слоя из сплава олова на каждой из противолежащих граней термоэлектрического полупроводника; d) нанесение слоя диффузионного барьера из Мо, W, Nb или Ni на каждый слой из сплава олова. 2 с. и 8 з.п. ф-лы, 15 ил., 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента