На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ КОММУТАЦИИ ТЕРМОЭЛЕМЕНТА | |
Номер публикации патента: 2150160 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L035/34 | Аналоги изобретения: | Штерн Ю.И. и др. Исследование процесса металлизации термоэлектрических материалов. - Материалы III Всесоюзной конференции "Термодинамика и материаловедение полупроводников". - М.: МИЭТ, 1986, с.351. SU 323823 A, 15.02.72. SU 123216 A, 31.03.66. SU 361748 A, 15.08.78. US 4654224 A, 31.03.87. US 5429680 A, 04.07.95. WO 9828801 A1, 02.07.98. |
Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники | Изобретатели: | Штерн Ю.И. Пичугин В.С. | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники Координационно-аналитический центр по межвузовским инновационным и научно-техническим программам |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии изготовления термоэлектрических устройств и может быть использовано при производстве термоэлектрических охладителей и генераторов. Способ коммутации термоэлемента включает ионно-плазменное нанесение на ветви термоэлемента слоя никеля или кобальта со скоростью 0,5-4 /c, чередующееся с обработкой нанесенного слоя ионами инертного газа с энергией 0,4-0,8 КэВ и дозой 1015-1017 ион/см2 с интервалами 2-10 с, вакуумный отжиг нанесенных контактов в течение 30-60 мин, нанесение припоя и пайку ветвей термоэлемента к коммутационным шинам. Перед нанесением слоя никеля или кобальта ионно-плазменным методом наносят слой молибдена или вольфрама со скоростью 0,5-2 /с, с чередующейся обработкой нанесенного слоя ионами инертного газа с энергией 0,4-0,8 КэВ и дозой 1015-1017 ион/см2 с интервалами 2-10 с. Вакуумный отжиг нанесенных металлических слоев проводят при температурах 150-220°С для ветвей n-типа проводимости и 150-220°С для ветвей p-типа проводимости. 1 табл.
|