US 2007202623 A1, 30.08.2007. US 2005023550 A1, 03.02.2005. US 5780321 A, 14.07.1998. US 5621225 A, 15.04.1997. RU 2003118499 A, 27.02.2005. RU 2212734 C1, 20.09.2003.
Изобретение относится к светоизлучающим диодам, смонтированным методом перевернутого кристалла. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит следующие этапы: обеспечивают перевернутый кристалл светоизлучающего диода (СИД) на подложке, при этом кристалл СИД находится между платой и подложкой, причем подложка шире и длиннее, чем кристалл СИД, обеспечивают изолирующий прокладочный материал между кристаллом СИД и платой и вокруг краев кристалла СИД и подложки; снимают подложку с кристалла СИД, размещают оптический элемент поверх открытой поверхности кристалла СИД после того, как подложка снята, причем, по меньшей мере, участки краев оптического элемента находятся внутри стенок из прокладочного материала, оптический элемент имеет предварительно отформованную форму перед размещением, размер по длине оптического элемента меньше, чем размер по длине внутренних границ стенок, и размер по ширине оптического элемента меньше, чем размер по ширине внутренних границ стенок, все края предварительно отформованного оптического элемента выступают за края кристалла СИД. Также согласно изобретению предложено светоизлучающее устройство. Изобретение обеспечивает повышение эффективности излучения. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 8 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента