Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Номер публикации патента: 2473152

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011137465/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L033/48    
Аналоги изобретения: US 2007058059 A1, 15.03.2007. US 2007187708 A1, 16.08.2007. JP 2004266168 A, 24.09.2004. RU 2328795 C2, 10.07.2008. 

Имя заявителя: НИТИА КОРПОРЕЙШН (JP) 
Изобретатели: НОИТИ Такуя (JP)
ОКАДА Юити (JP)
МИКИ Такахито (JP) 
Патентообладатели: НИТИА КОРПОРЕЙШН (JP) 
Приоритетные данные: 10.02.2009 JP 2009-028687 

Реферат


Полупроводниковое светоизлучающее устройство имеет корпус, составленный посредством нанесения первого изолирующего слоя, имеющего пару из положительного и отрицательного токопроводящих соединений, сформированных на его верхней поверхности, внутрислойной разводки под первым изолирующим слоем и второго изолирующего слоя под внутрислойной разводкой; полупроводниковый светоизлучающий элемент, который имеет пару из положительного и отрицательного электродов на одной и той же стороне поверхности и который располагается с этими электродами напротив токопроводящих соединений; и герметизирующий элемент, который покрывает полупроводниковый светоизлучающий элемент, при этом часть токопроводящих соединений формируется так, чтобы протягиваться в направлении внешнего края герметизирующего элемента непосредственно из-под полупроводникового светоизлучающего элемента, по верхней поверхности первого изолирующего слоя, и соединяется с внутрислойной разводкой через токопроводящее соединение, расположенное в направлении толщины корпуса, и внутрислойная разводка располагается так, чтобы находиться на расстоянии от внешней границы полупроводникового светоизлучающего элемента при просмотре сквозь корпус со стороны верхней поверхности первого изолирующего слоя. Изобретение обеспечивает повышение эффективности излучения света. 11 з.п. ф-лы, 2 пр., 12 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"