Светоизлучающий прибор содержит полупроводниковую структуру на основе нитрида элемента III группы, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа; и текстурированную поверхность, расположенную внутри 1000 Å светоизлучающего слоя. Также предложен второй вариант, согласно которому светоизлучающий прибор содержит маскирующий слой с множеством отверстий; структуру на основе нитрида элемента III группы, которая содержит множество столбиков из полупроводникового материала, соответствующих отверстиям в маскирующем слое, причем это множество столбиков разделено изоляционным материалом, и при этом, по меньшей мере, 90% поперечного сечения множества столбиков в плоскости, параллельной поверхности маскирующего слоя, занято столбиками, и светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа. Изобретение позволяет снизить механические напряжения в светоизлучающем слое. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 11 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента