RU 2262156 C1, 10.10.2005. US 7537950 B2, 26.09.2009. US 6005258 A, 21.12.1999. WO 03038874 A, 08.05.2003. US 5739554 A, 14.04.1998. EP 0772249 A2, 07.05.1997.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н" (RU)
Изобретатели:
Макаров Юрий Николаевич (RU) Курин Сергей Юрьевич (RU) Хейкки Хелава (US) Чемекова Татьяна Юрьевна (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н" (RU)
Реферат
Полупроводниковый светоизлучающий элемент содержит подложку, а также выполненные из AlxGa1-x N n-контактный слой, активный слой, барьерный слой и р-контактный слой. Подложка выполнена из AlN, а р-контактный слой - из GaN. Между подложкой и n-контактным слоем расположена переходная структура, состоящая из одинаковых пар слоев, выполненных из беспримесного соединения AlxGa1-xN. Количество пар слоев 3÷6. Толщина слоев в слоях со стороны подложки - 300÷500 нм, а в слоях со стороны n-контактного слоя - 70÷140 нм. Содержания Al в слоях со стороны подложки - 30÷70%, а в слоях со стороны n-контактного слоя - 10÷60%. Изобретение направлено на увеличение выходной мощности полупроводникового светоизлучающего элемента в широком диапазоне длин волн излучения и увеличение его срока службы. 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента