Изобретение может быть применено в электронных или оптоэлектронных приборах. Прибор согласно изобретению содержит: III-нитридную структуру, содержащую: первый слой (22), причем этот первый слой практически не содержит индия; второй слой (26), выращенный поверх первого слоя, причем этот второй слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий; третий слой 22, расположенный между первым слоем 22 и вторым слоем 26, и в непосредственном контакте с первым слоем, причем этот третий слой является немонокристаллическим слоем, практически не содержащим индия, и приборные слои (10), выращенные поверх второго слоя, причем приборные слои содержат III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. Также предложены еще три варианта выполнения III-нитридного светоизлучающего прибора. Изобретение обеспечивает уменьшение деформации в приборе, что в свою очередь улучшает рабочие характеристики прибора. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 19 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента