RU 2262156 C1, 10.10.2005. US 7537950 B2, 26.09.2009. US 2004101012 A1, 27.05.2004. WO 03038874 A1, 08.05.2003. US 5739554 A, 14.04.1998. JP 8288586 A, 01.11.1996.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Нитридные кристаллы" (RU)
Изобретатели:
Макаров Юрий Николаевич (RU) Жмакин Александр Игоревич (RU) Хейкки Хелава (US)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Нитридные кристаллы" (RU)
Реферат
Полупроводниковый элемент содержит многослойную структуру, выполненную из нитридов твердых растворов металлов третьей группы. Многослойная структура включает темплейт, на котором последовательно расположены: активный слой и контактные слои с различным типом проводимости. Для предотвращения утечки электронов из активного слоя в р-контактный слой, р-контактный слой выполнен с полярностью, противоположной полярности активного слоя. За счет такого распределения полярностей значительно увеличивается внутренняя квантовая эффективность и, как следствие, повышается эффективность преобразования электрической энергии в излучение. Изобретение направлено на повышение эффективности преобразования электрической энергии в излучение путем снижения утечки носителей заряда из активной области и может быть использовано в серийном производстве. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента