J.Komiyama et.al. MOVPE of AIN-free hexagonal GaN/cubic SiC/Si heterostructures for vertical devices. Journal of Crystal Growth V.311, pp 2840-2843, 2009. US 2008224268 A1, 18.09.2008. US 2007210304 A1, 13.09.2007. RU 2369942 C1, 10.10.2009. RU 2326993 C2, 20.06.2008. RU 2262155 C1, 10.10.2005. RU 2295174 C2, 10.03.2007.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии" (ООО НКТ) (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС") (RU)
Изобретатели:
Бессолов Василий Николаевич (RU) Лукьянов Андрей Витальевич (RU) Кукушкин Сергей Арсеньевич (RU) Осипов Андрей Викторович (RU) Феоктистов Николай Александрович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии" (ООО НКТ) (RU) Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС") (RU)
Реферат
Изобретение относится к твердотельной электронике, а именно к полупроводниковым приборам, используемым для выпрямления, усиления генерирования или переключения электромагнитных колебаний, способным работать при повышенных температурах и уровнях мощности, а также для приема и генерирования света в видимом и ультрафиолетовом диапазоне длин волн. Прибор имеет в своем составе электроды, монокристаллическую кремниевую подложку с ориентацией рабочей поверхности (111), на которой расположена слоистая структура, в состав которой входит буферный слой карбида кремния кубической модификации, и слой широкозонного полупроводника гексагональной модификации, выполненный из нитрида металла третьей группы Периодической таблицы элементов Д.И.Менделеева. Согласно изобретению прибор дополнительно имеет слой карбида кремния гексагональной модификации, который расположен на упомянутом слое широкозонного полупроводника и эпитаксиально с ним сопряжен. Новая конструкция позволяет снизить уровень дислокации в активной области полупроводникового прибора, получить новую структуру прибора с двумя жесткими слоями карбида кремния и мягким слоем нитрида, например, галлия между ними. 3 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 пр., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента