US 6504171 B1, 07.01.2003. US 6614060 B1, 02.09.2003. US 2004101012 A1, 27.05.2004. RU 2231171 C1, 20.06.2004. SU 1837369 A1, 30.08.1993.
Имя заявителя:
ОптоГаН Ой (FI)
Изобретатели:
ОДНОБЛЮДОВ Максим (FI) БУГРОВ Владислав (FI)
Патентообладатели:
ОптоГаН Ой (FI)
Приоритетные данные:
17.09.2004 FI 20041213
Реферат
Изобретение касается полупроводниковой гетероструктуры для светоизлучающих устройств, в частности, структуры, сформированной из полупроводниковых материалов с рассогласованием кристаллической решетки. Напряженная полупроводниковая гетероструктура (10) содержит инжекционную область, включающую первый эмиттерный слой (11) и второй эмиттерный слой (12), а также слой (13) генерации света, расположенный между эмиттерными слоями (11, 12). Между слоем (13) генерации света и вторым эмиттерным слоем (12) расположена область (14) захвата электронов, которая содержит слой (16) захвата, расположенный рядом со вторым эмиттерным слоем, и ограничительный слой (15), расположенный рядом с указанным слоем захвата электронов. Согласно изобретению концентрация электронов во втором эмиттерном слое (12) подобрана равной произведению концентрации дырок в первом эмиттерном слое (11), отношения коэффициента диффузии для дырок во втором эмиттерном слое (12) и коэффициента диффузии для электронов в первом эмиттерном слое (11) и отношения длины диффузии для электронов в первом эмиттерном слое (11) и длины диффузии для дырок во втором эмиттерном слое (12). Изобретение обеспечивает возможность создания напряженной полупроводниковой гетероструктуры с повышенной полной мощностью генерации света. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента