ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИЗДЕЛИЯ И МАТРИЦА СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ, ПОЛУЧЕННАЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭТОГО СПОСОБА ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Изобретение относится к микроэлектронике и к светоизлучающим устройствам, чипам матриц светоизлучающих диодов (СИДов), печатающим головкам на СИДах и принтеру на СИДах. Способ изготовления полупроводникового изделия, имеющего сложную полупроводниковую многослойную пленку, сформированную на полупроводниковой подложке, согласно изобретению включает: подготовку элемента, включающего в себя удаляемый травлением слой (1010), сложную полупроводниковую многослойную пленку (1020), изолирующую пленку (2010) и полупроводниковую подложку (2000) на сложной полупроводниковой подложке (1000) и имеющего первую бороздку (2005), которая проходит сквозь полупроводниковую подложку и изолирующую пленку, и бороздку (1025) в полупроводниковой подложке, которая является второй бороздкой, предусмотренной в сложной полупроводниковой многослойной пленке таким образом, что соединена с первой бороздкой, и вводят травитель в контакт с удаляемым травлением слоем по первой бороздке и второй бороздке и таким образом травят удаляемый травлением слой для отделения сложной полупроводниковой подложки от упомянутого элемента. Изобретение обеспечивает повышение выхода годных и упрощение технологии изготовления. 14 н. и 14 з.п. ф-лы, 33 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента