US 5747832 A, 05.05.1998. JP 4209577 A, 30.07.1992. RU 2175796 C1, 10.11.2001. RU 2186447 C2, 27.07.2002.
Имя заявителя:
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US)
Изобретатели:
ШЭНЬ Юй-Чэнь (US) ГАРДНЕР Натан Ф. (US) ВАТАНАБЕ Сатоси (US) КРЕЙМС Майкл Р. (US) МЮЛЛЕР Герд О. (US)
Патентообладатели:
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US)
Приоритетные данные:
24.08.2005 US 11/211,921
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике. Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит область n-типа; область p-типа; III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. III-Нитридный светоизлучающий слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6×1018 см-3 до 5×1019 см-3 и имеет III-толщину от 50 ангстрем до 250 ангстрем, при этом III-нитридный светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны более 390 нм, а содержание InN в светоизлучающем слое является градиентным. Также предложено еще четыре варианта III-нитридного светоизлучающего устройства со светоизлучающей областью с двойной гетероструктурой. Изобретение обеспечивает высокую эффективность при высокой плотности тока. 5 н. и 41 з.п. ф-лы, 3 табл., 13 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента