US 2004037335 A1, 26.02.2004. ЕР 0517440 А2, 09.12.1992. RU 2359362 C2, 20.06.2009. RU 2186447 C2, 27.07.2002. RU 11400 U1, 16.09.1999.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН (RU)
Изобретатели:
Степихова Маргарита Владимировна (RU) Шаронов Андрей Михайлович (RU) Кузнецов Виктор Павлович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковым светоизлучающим приборам, предназначенным для использования в современных телекоммуникационных системах связи, устройствах передачи информации, индикаторных устройствах, системах детектирования и т.п. Прибор согласно изобретению содержит подложку, активные слои p-типа и n-типа проводимости, между которыми расположена легированная редкоземельным элементом излучающая зона, включающая, по меньшей мере, два излучающих слоя, разделенных дополнительными слоями p-типа и n-типа проводимости. Активные слои и каждый из дополнительных слоев выполнены сильнолегированными. Техническим результатом, получаемым при использовании изобретения, является повышение выходной мощности светоизлучающего прибора на основе полупроводниковых материалов, легированных примесями редкоземельных элементов, с обеспечением высокой стабильности выходных параметров при комнатной температуре за счет формирования в рабочей области прибора встроенного электрического поля с новой конфигурацией распределения вдоль полупроводниковой структуры. Прибор легко интегрируется в конкретные схемы опто- и микроэлектроники, в том числе в схемы на основе кремния. 6 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента