TW 541808 B, 11.06.2004. KR 20070122109 A, 28.12.2007. JP 2006303154 A, 02.11.2006. GB 2344461 A, 07.06.2000. JP 7249795 A, 26.09.1995. JP 4258181 A, 14.09.1992. RU 2186447 C2, 27.07.2002.
Имя заявителя:
Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР" (RU)
Изобретатели:
Закгейм Дмитрий Александрович (RU)
Патентообладатели:
Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а более конкретно к полупроводниковым светодиодам на основе нитридных соединений металлов III группы - алюминия, галлия, индия (AIIIN). Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный на основе нитридов металлов третьей группы, включает подложку, а также сформированные в процессе эпитаксиального роста последовательно расположенные буферный слой и слои, образующие полупроводниковую гетероструктуру с р-n-переходом. При этом буферный слой расположен непосредственно на подложке и, по меньшей мере, в зоне, примыкающей к подложке, содержит поры, сформированные в процессе эпитаксиального роста буферного слоя. Изобретение обеспечивает упрощение конструкции и технологии изготовления полупроводникового светоизлучающего прибора. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента