Изобретение относится к микроэлектронике. Предложен полупроводниковый прибор, содержащий подложку; первый контакт; первый слой легированного полупроводникового материала, осажденный на подложку; полупроводниковую область перехода, осажденную на первый слой; второй слой легированного полупроводникового материала, осажденный на область перехода, причем этот второй слой обладает противоположным первому слою типом примесной проводимости; и второй контакт; при этом второй контакт находится в электрическом соединении со вторым слоем, а первый контакт встроен в полупроводниковый прибор между подложкой и областью перехода и находится в электрическом соединении с первым слоем. Также предложены еще два варианты такого полупроводникового прибора и два способа изготовления полупроводникового прибора со встроенными контактами. Преимущества, обеспечиваемые изобретением, включают значительно уменьшенное последовательное сопротивление между электрическими контактами такого прибора, в результате чего обеспечивается повышенная эффективность эксплуатации и сниженное нагревание прибора. Другие преимущества встроенных контактов в полупроводниковых приборах на нитриде металла включают то, что если часть скрытых контактов может поддерживаться свободной от осаждаемого материала, то может быть устранена необходимость в фотолитографии для производства такого прибора. Для предотвращения осаждения на поверхности контакта может быть использована маска. Может оказаться возможным производство таких приборов в широком ассортименте, в зависимости от других эксплуатационных ограничений, таких как ток, напряжение и рассеяние тепла. 5 н. и 35 з.п. ф-лы, 13 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента