US 2005092980 A1, 05.05.2005. US 2006043385 A1, 02.03.2006. US 2006146563 A1, 06.06.2006. GB 2361354 A, 17.10.2001. KR 20000074844 A, 15.12.2000. RU 2006130967 A, 29.08.2006. RU 2233013 C2, 20.07.2004.
Изобретение относится к оптоэлектронике. Светодиод белого свечения содержит слой полупроводника n-типа, одну или более структур с квантовыми ямами, сформированных поверх слоя полупроводника n-типа, слой полупроводника p-типа, сформированный на структуре с квартовыми ямами, первый электрод, сформированный на полупроводнике p-типа, и второй электрод, сформированный на по меньшей мере части слоя полупроводника n-типа. Каждая структура с квантовыми ямами включает в себя слой квантовой ямы InxGa1-xN, слой барьера InyGa1-yN (x>0,3 или х=0,3) и квантовые точки InzGa1-zN, где x.1. В изобретении предложены два варианта светодиодов и два варианта структур с квантовыми ямами Изобретение позволяет создать светодиоды белого свечения, которые просты в изготовлении, имеют высокие характеристики светоотдачи и цветопередачи, а также обладают требуемой надежностью для обеспечения таких применений, как источники света для освещения и жидкокристаллические устройства отображения (дисплеи). 4 н. и 18 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента