US 6821804 В2, 23.11.2004. RU 2231171 C1, 20.06.2004. US 2005082546 A1, 21.04.2005. US 6781160 B1, 24.08.2004. WO 2005020396 A1, 03.03.2005. JP 63182878 A, 28.07.1988.
Имя заявителя:
ОптоГаН Ой (FI)
Изобретатели:
БУГРОВ Владислав Е. (FI) ОДНОБЛЮДОВ Максим А. (FI)
Патентообладатели:
ОптоГаН Ой (FI)
Приоритетные данные:
01.07.2005 FI 20050707
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковым структурам с повышенной способностью к рассеянию света. Сущность изобретения: полупроводниковая структура образована из нитридов металлов III группы с кристаллической структурой вюрцита и выращена в паровой фазе на полупроводниковой подложке с ориентацией (0001). Структура включает нижний покрывающий слой, верхний покрывающий слой и область рассеяния, расположенную между покрывающими слоями, для рассеяния света, распространяющегося в полупроводниковой структуре. Область рассеяния имеет коэффициент преломления, отличный от коэффициентов преломления покрывающих слоев, и неплоские поверхности для обеспечения рассеивающих границ раздела между областью рассеяния и покрывающими слоями. Согласно изобретению, область рассеяния включает множество рассеивающих слоев, причем составы и толщины упомянутых рассеивающих слоев выбраны так, чтобы избежать образования дислокаций, обусловленных напряжениями в области рассеяния, а смежные рассеивающие слои имеют различные коэффициенты преломления, чтобы еще более увеличить эффективность рассеяния. Полупроводниковая структура обеспечивает эффективное рассеяние света при упрощенной технологии изготовления. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента