US 6614060 В1, 02.09.2003. US 6515313 В1, 04.02.2003. US 5877509 А, 02.03.1999. US 2004169185 A1, 02.09.2004. US 5569934 A, 29.10.1996. RU 2231171 C1, 20.06.2004. SU 1837369 A1, 30.03.1993.
Имя заявителя:
ОптоГаН Ой (FI)
Изобретатели:
ОДНОБЛЮДОВ Максим (FI) БУГРОВ Владислав (FI)
Патентообладатели:
ОптоГаН Ой (FI)
Приоритетные данные:
17.09.2004 FI 20041213
Реферат
Напряженная полупроводниковая гетероструктура содержит инжекционную область, включающую первый эмиттерный слой, имеющий проводимость р-типа, и второй эмиттерный слой, имеющий проводимость n-типа, а также слой генерации света, расположенный между первым эмиттерным слоем и вторым эмиттерным слоем. Между слоем генерации света и вторым эмиттерным слоем расположена область захвата электронов, которая содержит слой захвата, расположенный рядом со вторым эмиттерным слоем, и ограничительный слой, расположенный рядом с указанным слоем захвата электронов. Согласно изобретению толщины и материалы ограничительного слоя и слоя захвата выбраны так, что разность энергий между одним из локальных уровней энергии для электронов в слое захвата и дном зоны проводимости второго эмиттерного слоя равна энергии оптического фонона. Согласно изобретению на основе описанной выше гетероструктуры могут быть выполнены светоизлучающие диоды. Изобретение обеспечивает создание напряженной полупроводниковой гетероструктуры с повышенной полной мощностью генерации света. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента