|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2306634 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L033/00 | | Аналоги изобретения: | RU 2231171 C1, 20.06.2004. US 2006/0076574 A1, 13.04.2006. US 2006/0049424 A1, 09.03.2006. US 2005/0236642 A1, 27.10.2005. US 2004169185 A1, 02.09.2004. UK 2378039 A, 29.01.2003. JP 9307190 A, 28.11.1997. JP 9266351 A, 07.10.1997. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Светлана - Оптоэлектроника" (RU) | | Изобретатели: | Закгейм Дмитрий Александрович (RU)
Рожанский Игорь Владимирович (RU) | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Светлана - Оптоэлектроника" (RU) |
Реферат | |
Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlхInyGa1-(x+y)N (0х1, 0у1) с р-n переходом содержит последовательность эпитаксиальных слоев, образующих области n- и р-типа проводимости. В одной из этих областей сформирована активная область, имеющая по меньшей мере одну квантовую яму, а другая область включает токоограничивающий слой.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента