|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД |  |
Номер публикации патента: 2179353 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L033/00 | | Аналоги изобретения: | Разработка базовых технологических процессов изготовления мощных излучающих диодов: Отчет НИИПП, 1987, Гос. регистрация № Ф25265. RU 2133068 С1, 10.07.1999. RU 21340000 C1, 27.07.1999. DE 3506995 A, 28.06.1986. JP 58-13037 А, 11.03.1983. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "НИИПП" | | Изобретатели: | Вилисов А.А.
Карлова Г.Ф.
Криворотов Н.П.
Хан А.В. | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "НИИПП"
Вилисов Анатолий Александрович
Карлова Геля Федоровна
Криворотов Николай Павлович
Хан Александр Владимирович |
Реферат | |
Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к полупроводниковым излучающим диодам и может быть использовано для создания мощных источников электромагнитного излучения инфракрасного (ИК) и видимого диапазона спектра в оптических и электронно-оптических системах, предназначенных для использования в различных областях техники. Технический результат изобретения заключается в повышении мощности излучения. Сущность: полупроводниковый излучающий диод содержит многомезовый кристалл с p-n переходом и токоподводящими к n- и p-областям омическими контактами, световыводящую линзу, плоское основание которой превышает по размеру поверхность кристалла. Световыводящая линза размещена основанием на поверхности кристалла, световыводящая поверхность кристалла выполнена с образующими матрицу канавками, а один из омических контактов выполнен в виде слоя металлизации, расположенного в канавках матрицы и по периметру световыводящей поверхности кристалла. При этом появляется возможность расширения слоя металлизации на основание линзы, не занятое кристаллом. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента