|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД С Р - N - ПЕРЕХОДОМ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2175796 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L033/00 | | Аналоги изобретения: | С. ЗИ Физика полупроводниковых приборов. - M.: Мир, 1984, с.278-290, 291-295. SU 1414238 A1, 10.06.1997. US 4152712 A, 01.05.1979. GB 1593999 A, 22.07.1981. JP 59048968 A, 21.03.1984. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) | | Изобретатели: | Кожитов Л.В.
Кондратенко Т.Я.
Пархоменко Ю.Н.
Юрчук С.Ю. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) |
Реферат | |
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых светоизлучающих диодов - светодиодов, и может быть использовано в электронной и оптоэлектронной промышленности. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении всех вариантов изобретения, являются повышение излучаемой мощности и снижение уровня электротепловой деградации. Сущность изобретения по первому варианту изобретения заключается в следующем. В светодиоде металлический контакт р-типа слоя выполнен в виде монокристаллического цилиндра из металла с объемноцентрированной или гранецентрированной решеткой с гранями (111) или (100). Контакт р-типа слоя может быть выполнен из металлов: молибдена, или вольфрама, или ниобия и других металлов. На внешней поверхности этого контакта выращен монокристаллический полупроводниковый р-типа слой цилиндрической формы, на внешней поверхности которого сформирован имеющий цилиндрическую форму монокристаллический полупроводниковый n-типа слой. По периферийным частям поверхности этого слоя симметрично от центра размещена пара цилиндрических металлических контактов n-типа слоя из сплава двух металлов. Кроме того, предложены еще три варианта светоизлучающего диода с p-n-переходом. 4 с. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента