На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2154324 |  |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L033/00 | Аналоги изобретения: | WO 98/40916 A1, 17.09.1998. БЕРГ А., ДИН П. Светодиоды. - М.: Мир, 1979, с. 578. RU 2025833 C1, 30.12.1994. SU 1732402 A1, 07.05.1992. |
Имя заявителя: | Матвеев Борис Анатольевич | Изобретатели: | Матвеев Б.А. Зотова Н.В. Ильинская Н.Д. Карандашев С.А. Ременный М.А. Стусь Н.М. Талалакин Г.Н. | Патентообладатели: | Матвеев Борис Анатольевич |
Реферат |  |
Изобретение относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может найти применение в приборах газового анализа, спектрометрах, системах связи. Техническим результатом изобретения является расширение диапазона излучения источника при повышенных температурах. Сущность изобретения: по первому варианту, в источник инфракрасного излучения, содержащий активную область из материала А3В5 и/или его твердых растворов с заданной шириной запрещенной зоны и р-n переход, введена по меньшей мере одна дополнител
|