Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МУЛЬТИСКАНА

Номер публикации патента: 94026939

Вид документа: A1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94026939 
 

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/18    

Имя заявителя: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН 
Изобретатели: Подласкин Б.Г.
Токранова Н.А.
Чеботарев К.Е.
Чекулаев Е 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для изготовления координаточувствительного фотоприемника мультискана, используемого для измерения положения светового сигнала. Целью изобретения является создание способа изготовления мультискана, позволяющего изготовить мультискан с повышенной точностью измерений за счет линеаризации его координатной характеристики. Для этого в способе изготовления мультискана, заключающемся в формировании на подложке изолированных друг от друга и от подложки двух базовых областей, изготовлении линейки встречно включенных p-n-переходов в упомянутых базовых областях, формировании общей шины вдоль внешнего края одной базовой области и нанесении делительного слоя на внешний край другой базовой области. Новым является то, что на поверхность делительного слоя дополнительно наносят резистивный слой, выступающий за пределы делительного слоя с его внешней по отношению к p-n-переходам стороны и обладающий сопротивлением, превышающим сопротивление делительного слоя не менее чем в К раз, затем определяют зависимость величины ошибки координирования f(x) путем измерения величины выходного напряжения в зависимости от положения центра светового пятна, находят максимальное значение ошибки координирования fmax, затем корректируют сопротивление делительного cлоя путем изменения ширины дополнительного резистивного слоя с его наружной стороны по отношению к p-n-переходам в соответствии с зависимостью, указанной в описании.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"