На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МУЛЬТИСКАНА | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 94026939 | ![](Images/empty.gif) |
Вид документа: | A1 | Страна публикации: | RU | Рег. номер заявки: | 94026939 |
|
|
|
Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН | Изобретатели: | Подласкин Б.Г. Токранова Н.А. Чеботарев К.Е. Чекулаев Е |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для изготовления координаточувствительного фотоприемника мультискана, используемого для измерения положения светового сигнала. Целью изобретения является создание способа изготовления мультискана, позволяющего изготовить мультискан с повышенной точностью измерений за счет линеаризации его координатной характеристики. Для этого в способе изготовления мультискана, заключающемся в формировании на подложке изолированных друг от друга и от подложки двух базовых областей, изготовлении линейки встречно включенных p-n-переходов в упомянутых базовых областях, формировании общей шины вдоль внешнего края одной базовой области и нанесении делительного слоя на внешний край другой базовой области. Новым является то, что на поверхность делительного слоя дополнительно наносят резистивный слой, выступающий за пределы делительного слоя с его внешней по отношению к p-n-переходам стороны и обладающий сопротивлением, превышающим сопротивление делительного слоя не менее чем в К раз, затем определяют зависимость величины ошибки координирования f(x) путем измерения величины выходного напряжения в зависимости от положения центра светового пятна, находят максимальное значение ошибки координирования fmax, затем корректируют сопротивление делительного cлоя путем изменения ширины дополнительного резистивного слоя с его наружной стороны по отношению к p-n-переходам в соответствии с зависимостью, указанной в описании.
|