Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


КОНСТРУКЦИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МОДУЛЯ

Номер публикации патента: 2475888

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011132561/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/042    
Аналоги изобретения: RU 2395136 C1, 20.07.2010. EP 1895597 A1, 05.03.2008. WO 2008/068006 A1, 12.06.2008. US 2009199891 A1, 13.08.2009. US 2009027427 A1, 05.11.2009. CN 201467016 U, 12.05.2010. 

Имя заявителя: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU) 
Изобретатели: Андреев Вячеслав Михайлович (RU)
Давидюк Николай Юрьевич (RU)
Нахимович Мария Валерьевна (RU)
Румянцев Валерий Дмитриевич (RU)
Садчиков Николай Анатольевич (RU) 
Патентообладатели: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области солнечной энергетики. Конструкция фотоэлектрического модуля (1) содержит боковые стенки (2), фронтальную панель (3) с линзами Френеля (4), светопрозрачную тыльную панель (5), солнечные элементы (6) с фотоприемными площадками (15), совмещенными с фокальным пятном соответствующей линзы Френеля (4) и расположенными на теплоотводящих основаниях (7), и байпасные диоды. Солнечные элементы (6) и байпасные диоды установлены в центрах отверстий (8) в планках (9) из конструкционного металла толщиной Н от 0,4 мм до 0,8 мм. На фронтальную сторону планок (9) нанесен слой диэлектрика (10) толщиной h1 и металлическое покрытие (11) толщиной h2, к которому подсоединены верхние контакты солнечных элементов (6) и байпасных диодов. Диаметр отверстий в металлическом покрытии (11) над отверстиями планок (7) меньше диаметра отверстий в слое диэлектрика (10) над отверстиями планок на 0,05-0,1 мм, а общая толщина слоя диэлектрика (11) и металлического покрытия (10) h1+h2 удовлетворяет соотношению: 0,1Hh1+h20,2H. Фотоэлектрический модуль согласно изобретению имеет повышенную надежность работы и увеличенный срок службы при увеличении концентрации солнечного излучения до уровня 1000Х-3000 Х. 5 з.п.ф-лы, 5 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"