Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)

Номер публикации патента: 2444088

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009149099/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/142   H01L031/18    
Аналоги изобретения: SU 288163 A, 05.02.1971. RU 2336596 C1, 20.10.2008. RU 2127472 C1, 10.03.1999. RU 2127471 C1, 10.03.1999. RU 2127009 C1, 17.02.1999. US 4516314 A, 14.05.1995. US 3653971 A, 04.04.1972. 

Имя заявителя: Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) (RU) 
Изобретатели: Стребков Дмитрий Семенович (RU) 
Патентообладатели: Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно фотоэлектрических преобразователей (ФП). Полупроводниковый фотопреобразователь, выполненный в виде двухсторонней матрицы из скоммутированных последовательно с помощью контактов микроэлементов с диодными структурами n+-p-p+ (p+-n-n+), плоскости p-n-переходов и контактов которых перпендикулярны рабочей поверхности, на которую падает излучение, два или три линейных размера микроэлементов соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области. Каждый микроэлемент на обеих рабочих поверхностях содержит изолированную область с дополнительным изотипным p-p+ (n-n+) переходом, плоскость которого параллельна рабочей поверхности, а участки базовой и легированной области диодных структур, свободные от контакта, содержат пассивирующую просветляющую пленку, на одну из сторон матрицы нанесены электроизолирующая теплопроводящая пленка и поглощающее покрытие с низкой теплоемкостью. Также предложены еще несколько вариантов описанного выше фотопреобразователя и способы изготовления. Изобретение обеспечивает повышение фототока и снижение потерь на поверхностную рекомбинацию, что в свою очередь обеспечивает повышаение эффективности полупроводникового фотопреобразователя. 12 н. и 17 з.п. ф-лы, 4 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"