Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Реферат
Способ относится к полупроводниковой технологии и может быть использован при изготовлении приемников ИК-излучения. На подложке InAs формируют слоистую структуру, содержащую подзатворный диэлектрик (SiO2). Последовательно изготавливают на подзатворном диэлектрике затворы и контактные столбы (In). Затворы выполняют в виде последовательности слоев: слой материала, формирующего непосредственно затвор (In2O3); сплошной защитный слой материала, обеспечивающего химическую защиту слоя материала, формирующего непосредственно затвор, при последующих операциях изготовления фотоприемного кристалла, и обеспечивающего высокую адгезию к слою материала, формирующего непосредственно затвор (Сr); сплошной защитный слой материала, обеспечивающего защиту от окисления первого защитного слоя и адгезию материала, используемого при изготовлении контактных столбов, и к материалу, обеспечивающему химическую защиту слоя материала, формирующего непосредственно затвор (Ni). Изобретение обеспечивает снижение процента шумящих элементов и повышение выхода годных структур примерно в два раза за счет изготовления затворов в составе трех слоев из соответствующе подобранных материалов. 13 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента