RU 2368038 C1, 20.09.2009. RU 2292610 C1, 27.01.2007. RU 2244986 C1, 20.01.2005. JP 20011007379 A, 12.01.2001. US 2003075215 A1, 24.04.2003. ЕР 1863099 А2, 05.12.2007.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Малевская Александра Вячеславовна (RU) Гудовских Александр Сергеевич (RU) Задиранов Юрий Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Реферат
Каскадный фотоэлектрический преобразователь с наноструктурным просветляющим покрытием изготовлен на основе многослойной полупроводниковой структуры AlGaInP/GaInP/Ga(In)As/Ge. Фотоэлектрический преобразователь содержит тыльный и лицевой омические контакты и многослойное наноструктурное просветляющее покрытие, сформированное на фронтальной поверхности структуры в свободных от омических контактов местах, состоящее из трех слоев: SiO2 толщиной 70-80, Si3N4 толщиной 25-35 нм и TiOx, где х=1,8-2,2, толщиной 20-30 нм. Каскадный фотоэлектрический преобразователь имеет повышенный КПД и низкий коэффициент отражения в коротковолновой и длинноволновой области солнечного спектра. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента