JP 101373806 A, 25.02.2009. JP 2008277865 A, 13.11.2008. DE 10253082 A1, 28.05.2003. JP 2002280673 A, 27.09.2002. US 2001010372 A1, 02.08.2001. JP 11298043 A, 29.10.1999. JP 10190146 A, 21.07.1998. JP 10173232 A, 26.06.1998. JP 9191128 A, 22.07.1997. RU 83655 U, 10.06.2009. RU 2277736 C1, 10.06.2006.
Имя заявителя:
Шретер Юрий Георгиевич (RU), Ребане Юрий Тоомасович (RU), Миронов Алексей Владимирович (RU)
Изобретатели:
Шретер Юрий Георгиевич (RU) Ребане Юрий Тоомасович (RU) Миронов Алексей Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Шретер Юрий Георгиевич (RU) Ребане Юрий Тоомасович (RU) Миронов Алексей Владимирович (RU)
Реферат
Настоящее изобретение относится к области светоизлучающих устройств, в частности к высокоэффективным светоизлучающим диодам на основе нитридов третьей группы Периодической системы химических элементов. Светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит подложку, буферный слой, сформированный на подложке, первый слой из полупроводника с проводимостью n-типа, сформированный на буферном слое, второй слой из полупроводника с проводимостью p-типа и активный слой, расположенный между первым и вторым слоями. Первый, второй и активный слои образуют чередование слоев со структурой фазы цинковой обманки и слоев со структурой фазы вюрцита, с образованием гетерофазных границ между ними. Изобретение обеспечивает повышение эффективности (коэффициента полезного действия) светоизлучающего устройства за счет того, что в светоизлучающем устройстве имеются гетерофазные границы, которые позволяют избежать формирования потенциальных ям для дырок, повысить однородность распределения дырок в активном слое и обеспечить подавление безызлучательной рекомбинации Оже. 10 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента