L Knuuttila et. al. Low temperature growth GaAs on Ge / Jap.J. Of Appl. Phys, v.44, 11, 2005, p.7777-7784. RU 2354009 C1, 27.04.2009. RU 2292610 C1, 27.01.2007. RU2 244986 C1, 20.01.2005.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Кудряшов Дмитрий Александрович (RU) Левин Роман Викторович (RU) Пушный Борис Васильевич (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Реферат
Способ изготовления гетероструктуры для фотопреобразователя на основе арсенида галлия на германиевой подложке методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений заключается в отжиге германиевой подложки в потоке водорода, стабилизации поверхности германия с преобразованием моноатомных ступеней в двухтомные, выращивании первого слоя GaAs на германии, выращивании второго слоя GaAs поверх первого слоя. Отжиг германиевой подложки осуществляют в потоке водорода при давлении 80-150 миллибар в течение 10-15 минут при температуре подложки 640-660°С. Последующий отжиг германиевой подложки проводят в потоке водорода и парциальном давлении арсина в реакторе 0,13-0,16 миллибар в течение 4-7 минут при температуре 640-660°С. Выращивание из арсина и триэтилгаллия первого слоя GaAs на германиевой подложке осуществляют при температуре реактора 530-560°С в течение 8-12 минут при отношении парциальных давлений арсина к триэтилгаллию, равным 4-7. Выращивание из арсина и триэтилгаллия второго слоя GaAs поверх первого слоя GaAs проводят при температуре реактора 530-560°С в течение 60-80 минут при отношении парциальных давлений арсина к триэтилгаллию, равным 50-70. Изобретение обеспечивает улучшение параметров фотопреобразователя за счет создания гетероструктуры на основе GaAs на германиевой подложке с минимальным количеством дефектов посредством оптимизации параметров отжига подложки, оптимизации параметров выращивания первого слоя GaAs и второго слоя GaAs. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента