Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ получения плитки, содержащей фотоэлектрический элемент, согласно изобретению включает последовательные этапы: получают тело (2) керамической основы, имеющее одно или несколько сквозных отверстий (2с), и поглощение воды, равное или меньшее чем 0,5 мас.%, причем упомянутый этап содержит: операцию прессования, в которой измельченный керамический порошок с влажностью от 3 мас.% до 6 мас.% подвергают операции прессования под давлением от 35 до 60 МПа, операцию сушки и операцию обжига при максимальной температуре от 1100 до 1250°С; и непосредственно осаждают на поверхность (2а) упомянутого тела (2) керамической основы: электропроводящий слой (6), изготовленный из Ag или Ag-Al; множество активных слоев (7); и слой электропроводящего материала (9) с решетко-подобной структурой; причем упомянутое множество активных слоев (7) последовательно содержит слой n-типа (11), фотоактивный слой (12) и слой p-типа (13); помещают в упомянутое отверстие (2с) проводящий соединитель (5) таким образом, что упомянутый проводящий соединитель (5) находится в электрическом контакте с упомянутым электропроводящим слоем (6); и прикладывают электрическое или электронное устройство (4) на поверхность (2b) упомянутого тела (2) керамической основы, противоположную к упомянутой поверхности (2а); причем упомянутое электрическое или электронное устройство (4) находится в электрическом контакте с упомянутым проводящим соединителем (5). Также предложена плитка, содержащая фотоэлектрический элемент, изготовленный описанным выше способом. Изобретение обеспечивает улучшение теплоизоляции зданий при одновременной возможности использования энергии солнечного света, для снабжения зданий электрической энергией. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 1 ил.