RU 2336596 C1, 20.10.2008. SU 434872 A, 24.11.1976. SU 288163 A, 05.02.1971. SU 288162 A, 03.02.1971. SU 288161 A, 09.03.1971.
Имя заявителя:
Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) (RU)
Изобретатели:
Стребков Дмитрий Семенович (RU) Заддэ Виталий Викторович (RU)
Патентообладатели:
Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФП). Полупроводниковый фотопреобразователь содержит матрицу из скоммутированных параллельно с помощью контактов микроэлементов с базовой областью и легированными областями п+-р-п+(p+-п-р+) структур, плоскости р-п переходов и контактов к легированным п+(р+) областям перпендикулярны к рабочей стороне, на которую падает излучение, один или два линейных размера каждого микроэлемента соизмеримы с удвоенной диффузионной длиной неосновных носителей заряда в базовой области, и на тыльной стороне каждого микроэлемента расположены контакты к базовой области, каждый микроэлемент содержит вдоль рабочей и тыльной сторон области с дополнительными изотипными р-р+(п-п+) переходами, отделенными от р-п переходов промежутком, ширина которого, по меньшей мере, в 10 раз меньше размера микроэлемента, а участки базовой и легированной областей, свободные от контактов, содержат пассивирующую просветляющую пленку. Предложены еще варианты выполнения описанного выше фотопреобразователя и варианты способа выполнения фотопреобразователя. Изобретение обеспечивает повышение КПД и повышение эффективности фотопреобразования за счет снижения потерь на поверхностную рекомбинацию. 7 н. и 6 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента