RU 2331139 C1, 10.08.2008. SU 434872 A, 24.11.1976. US 3948682 A, 06.04.1976. US 4360701 A, 23.11.1982.
Имя заявителя:
Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) (RU)
Изобретатели:
Стребков Дмитрий Семенович (RU) Заддэ Виталий Викторович (RU)
Патентообладатели:
Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно фотоэлектрических преобразователей (ФП). Полупроводниковый фотопреобразователь содержит рабочую поверхность, на которую падает излучение, базовую область, выполненную в виде пластины полупроводникового материала р-или n- типа проводимости и легированные слои с высокой проводимостью n+- и р+-типа, расположенные с двух сторон пластины, контакты к указанным легированным слоям и просветляющее покрытие на рабочей поверхности. На поверхности базовой области, свободной от легированных слоев n+- и p+-типа, выполнены микроуглубления, один, два или три линейных размера которых соизмеримы с одной четвертой длины волны излучения, соответствующей максимальной спектральной плотности излучения. Участки базовой области между микроуглублениями содержат легированные слои, поверхность которых покрыта металлическими контактами. Ширина легированных слоев и контактов между микроуглублениями 5-10 нм. Микроуглубления содержат просветляющее покрытие с пассивирующими свойствами со следующими параметрами: коэффициент поглощения излучения 0,94-0,99, скорость эффективной поверхностной рекомбинации в 1-20 см/сек. Также предложен способ изготовления этого фотопреобразователя. Изобретение обеспечивает повышение эффективности преобразования интенсивных потоков излучения. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента