RU 2127472 C1, 10.03.1999. RU 2127471 C1, 10.03.1999. RU 2127009 C1, 17.02.1999. US 4516314 A, 14.05.1995. DE 2822694 A, 20.12.1979. US 3653971 A, 04.04.1972.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) (RU)
Изобретатели:
Мурашев Виктор Николаевич (RU) Симакин Виктор Васильевич (RU) Тюхов Игорь Иванович (RU) Лагов Петр Борисович (RU) Стребков Дмитрий Семенович (RU) Котов Андрей Викторович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к фотоэлектрическим преобразователям (ФП) для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую энергию с помощью солнечных батарей. Область применения - возобновляемые источники энергии. Согласно изобретению в полупроводниковом ФП, состоящем из монокристаллических кремниевых пластин с вертикально расположенными р-n диффузионными переходами, соединенными между собой в единую горизонтальную конструкцию металлическими прокладками, с токовыводящими контактами, с, по меньшей мере, одной светоприемной поверхностью с инверсионным слоем и диэлектрическим просветляющим покрытием, в области р-типа проводимости, прилегающей к диффузионному р-n переходу, параллельно светоприемной поверхности расположена, по меньшей мере, одна нанокластерная область n-типа проводимости на расстоянии от инверсионного слоя, равном или меньшем сумме толщин областей пространственного заряда инверсионного слоя и нанокластерной области. Также предложен способ изготовления фотопреобразователя. Изобретение обеспечивает повышение КПД ФП путем увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда при одновременном снижении стоимости технологии изготовления ФП за счет ее упрощения. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента