RU 2308122 C1, 10.10.2007. US 7217882 B2, 15.05.2007. CN 101232959 A, 30.07.2008. JP 2007189025 A, 26.07.2007. CN 1929153 A, 14.03.2007. WO 03100868 A1, 04.12.2003. JP 59172780 A, 29.09.1984.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Технология Полупроводниковых Кристаллов" (RU)
Изобретатели:
ХЕЛАВА Хейкки (US) МАКАРОВ Юрий Николаевич (RU) ЖМАКИН Александр Игоревич (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Технология Полупроводниковых Кристаллов" (RU)
Реферат
Полупроводниковый многопереходный солнечный элемент включает подложку, на которой размещено не менее двух сопряженных друг с другом выполненных из In1-xGaxN двухслойных компонентов с р-n или n-р переходами между слоями, сопряженными посредством туннельного перехода или омического контакта, причем ширина запрещенной зоны компонентов возрастает в направлении к источнику солнечной энергии. Солнечный элемент согласно изобретению содержит дополнительный двухслойный компонент, выполненный из In1-x-yGaxAlyN с р-n или n-р переходом между слоями, размещенный со стороны источника солнечной энергии, сопряженный со смежным двухслойным компонентом из In1-xGaxN посредством туннельного перехода или омического контакта. Изобретение позволяет повысить эффективность преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента