RU 2244366 C1, 10.01.2005. RU 75505 U1, 10.08.2009. US 6208005 B1, 27.03.2001. US 5959299 A, 28.09.1999. US 5880510 A, 09.03.1999.
Имя заявителя:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Изобретатели:
Сидоров Юрий Георгиевич (RU) Дворецкий Сергей Алексеевич (RU) Варавин Василий Семёнович (RU) Михайлов Николай Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Реферат
Фоточувствительная структура может быть использована при разработке фотоприемников ИК излучения. Фоточувствительная структура содержит подложку с выполненной на ней варизонной структурой с рабочей областью, в которой расположен рабочий поглощающий слой. В составе рабочей области кроме рабочего поглощающего слоя выполнен предотвращающий введение собственных дефектов слой с возможностью его примыкания к поверхности рабочей области или на расстоянии от нее, или в составе рабочей области выполнена периодическая структура из чередующихся слоев, предотвращающих введение собственных дефектов и рабочих поглощающих, с возможностью примыкания ее к поверхности рабочей области или на расстоянии от нее. Изобретение обеспечивает предельное повышение термической стабильности параметров фоточувствительных слоев структуры, что приводит к снижению деградации фотоэлектрических и электрофизических параметров фоточувствительного элемента. 16 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента