|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ БАРЬЕРА ШОТКИ |  |
Номер публикации патента: 2355067 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L031/07 | | Аналоги изобретения: | US 4321099 A, 23.03.1982. US 4278830 A, 14.07.1981. US 4227943 A, 14.10.1980. SU 1838847 A3, 30.08.1993. SU 1810933 A1, 23.04.1993. |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU) | | Изобретатели: | Буздуган Алексей Анатольевич (RU)
Громов Дмитрий Геннадьевич (RU)
Редичев Евгений Николаевич (RU)
Гаврилов Сергей Александрович (RU)
Чулков Игорь Сергеевич (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU) |
Реферат | |
Использование: энергетика, радио-, электронная промышленность, приборостроение, где используются автономные маломощные источники питания. В способе изготовления солнечного элемента с барьером Шотки, включающем осаждение на проводящую подложку или любую подложку с проводящим слоем базового слоя полупроводникового материала, рекристаллизацию указанного полупроводникового материала указанного базового слоя для повышения среднего размера зерна, осаждение активного слоя полупроводникового материала по
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента