|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНОГО ФОТОПРИЕМНОГО КРИСТАЛЛА НА ОСНОВЕ МДП - СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2354007 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L031/18 | | Аналоги изобретения: | Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. / Под ред. С.П.Синицы, Новосибирск, Наука, 2001 с.86-87. Курышев Г.Л., Ковчавцев А.П., Валишева Н.А. Электронные свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе InAs, ФТП, 2001, т.35, вып.9, с.1111-1119. RU 2278446 C1, 20.06.2006. US 4499654 A, 19.02.1985. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU) | | Изобретатели: | Валишева Наталья Александровна (RU)
Вицина Наталья Рэмовна (RU)
Левцова Татьяна Александровна (RU)
Курышев Георгий Леонидович (RU)
Ковчавцев Анатолий Петрович (RU) | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления приемников ИК-излучения. Сущность изобретения: в способе изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе МДП-структур на подложку InAs наносят слой SiO2, в котором формируют литографически сквозные окна, определяющие фоточувствительную область для фотоприемных кристаллов.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента