|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ФОТОДИОД НА АНТИМОНИДЕ ИНДИЯ |  |
Номер публикации патента: 2324259 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L031/102 | | Аналоги изобретения: | RU 2056671 C1, 20.03.1996. SU 1589963 A1, 10.07.1996. RU 2026589 C1, 09.01.1995. RU 2069028 C1, 10.11.1996. US 4286277 A, 25.08.1981. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "Московский завод "Сапфир" (RU) | | Изобретатели: | Астахов Владимир Петрович (RU)
Гиндин Павел Дмитриевич (RU)
Ежов Виктор Петрович (RU)
Карпов Владимир Владимирович (RU)
Соловьёва Галина Сергеевна (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "Московский завод "Сапфир" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - фотодиодами на антимониде индия (InSb). Фотодиод на антимониде индия содержит подложку из антимонида индия n-типа проводимости со сформированным в ней р-n переходом, защитную и пассивирующую диэлектрические пленки и контактную систему.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента