|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО МНОГОЭЛЕМЕНТНОГО ФОТОПРИЕМНИКА НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР InGaAs/InP |  |
Номер публикации патента: 2318272 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L031/18 | | Аналоги изобретения: | Marshall J.Cohen et. al. Commercial and Industrial Applications of Indium Gallium Arsenide Near Infrared Focal Plane Arrays описанный в Part of the SPIE Conference on Infrared Technology and Applications XXV Orlando, Florida, April 1999 SPIE Vol.3698. US 6005266 A, 21.12.1999. US 6229152 A, 08.05.2001. US 2003/0222265 A1, 04.12.2003. RU 2034369 C1, 30.04.1994. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН", ФГУП "НПО "ОРИОН" (RU) | | Изобретатели: | Чинарева Инна Викторовна (RU)
Огнева Ольга Викторовна (RU)
Забенькин Олег Николаевич (RU)
Мищенкова Татьяна Николаевна (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН"
ФГУП "НПО "ОРИОН" (RU) |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано в системах лазерной локации, обнаружения лазерного излучения, ИК-спектрометрии, многоспектральных ВОЛС, а также нового поколения систем ночного видения. Для изготовления фотоприемника эпитаксиальную пластину n-InP/n-In0,53 Ga0,47 As/n+-InP, содержащую эпитаксиальные слои n-InP/n-In0,53 Ga0,47 As и подложку n+-InP, покрывают пленкой нитрида кремния как со стороны эпитаксиального слоя n-InP, так и со стороны подложки n+-InP.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента