На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОДИОДА НА АНТИМОНИДЕ ИНДИЯ | |
Номер публикации патента: 2313854 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L031/18 | Аналоги изобретения: | SU 1589963 A1, 10.07.1997. SU 1265894 A1, 23.10.1985. RU 2069028 C1, 10.11.1996. US 5086328 A, 04.02.1992. JP 56096880 A, 05.08.1981. |
Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "Московский завод "Сапфир" (RU) | Изобретатели: | Астахов Владимир Петрович (RU) Гиндин Павел Дмитриевич (RU) Ежов Виктор Петрович (RU) Карпов Владимир Владимирович (RU) Соловьева Галина Сергеевна (RU) | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "Московский завод "Сапфир" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии изготовления чувствительных к инфракрасному излучению одно- и многоэлементных фотодиодов на антимониде индия. Указанный технический результат достигается тем, что в способе изготовления фотодиода на антимониде индия, включающем последовательное формирование локального p-n перехода на подложке, защитной диэлектрической пленки анодным окислением, пассивирующей пленки и контактных площадок, анодное окисление проводят в электролите следующего состава: 45-55 объемных
|